RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
63
Wokół strony -142% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
1,583.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,895.6
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,583.7
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
639
2833
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link