RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
63
Wokół strony -174% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
1,583.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,895.6
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,583.7
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
639
3211
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link