RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
63
75
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.1
1,583.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
75
Prędkość odczytu, GB/s
3,895.6
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,583.7
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
639
1763
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link