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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
比较
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
总分
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
总分
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
63
75
左右 16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
3
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.1
1,583.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
75
读取速度,GB/s
3,895.6
14.9
写入速度,GB/s
1,583.7
7.1
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
639
1763
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
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