RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Porównaj
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Wynik ogólny
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
70
Wokół strony -126% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
3,071.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
70
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,372.7
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
3,071.4
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2817
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link