RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Porównaj
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
3,071.4
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
70
Wokół strony -192% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
70
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,372.7
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
3,071.4
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3079
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link