RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Porównaj
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
56
70
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.3
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
3,071.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
70
56
Prędkość odczytu, GB/s
4,372.7
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
3,071.4
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2200
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Transcend Information JM1333KLN-4G 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link