RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Porównaj
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
64
70
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
3,071.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
70
64
Prędkość odczytu, GB/s
4,372.7
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
3,071.4
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2052
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link