RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Porównaj
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
3,071.4
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
70
Wokół strony -268% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
70
19
Prędkość odczytu, GB/s
4,372.7
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
3,071.4
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3220
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link