RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Porównaj
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
3,071.4
18.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
70
Wokół strony -289% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
70
18
Prędkość odczytu, GB/s
4,372.7
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
3,071.4
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3529
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link