RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Porównaj
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
3,071.4
18.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
70
Wokół strony -289% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
70
18
Prędkość odczytu, GB/s
4,372.7
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
3,071.4
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3529
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link