RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Porównaj
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
3,071.4
18.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
70
Wokół strony -289% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
70
18
Prędkość odczytu, GB/s
4,372.7
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
3,071.4
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3529
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link