RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Comparar
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Pontuação geral
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
20.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
3,071.4
18.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
70
Por volta de -289% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
70
18
Velocidade de leitura, GB/s
4,372.7
20.4
Velocidade de escrita, GB/s
3,071.4
18.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
3529
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Comparações de RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link