RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Porównaj
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
35
Prędkość odczytu, GB/s
9.4
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1453
2488
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link