RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Porównaj
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Wynik ogólny
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
72
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
1,781.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
72
Prędkość odczytu, GB/s
4,269.3
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,781.8
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
618
1728
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link