RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Porównaj
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Wynik ogólny
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
54
Wokół strony -116% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
1,781.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,269.3
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,781.8
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
618
3541
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link