RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
26
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
19
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3355
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link