RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Porównaj
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Wynik ogólny
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
54
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
1,781.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,269.3
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,781.8
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
618
3929
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link