RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2256
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link