RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Porównaj
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB vs Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
11.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.9
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2824
3132
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link