RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
75
Wokół strony -226% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.7
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
23
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
2339
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link