Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB

Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB

Pontuação geral
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Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    23 left arrow 75
    Por volta de -226% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    13.6 left arrow 1
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    6.7 left arrow 1,672.1
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 4200
    Por volta de 4.05 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    75 left arrow 23
  • Velocidade de leitura, GB/s
    1,943.5 left arrow 13.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,672.1 left arrow 6.7
  • Largura de banda de memória, mbps
    4200 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    301 left arrow 2339
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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