Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB против Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

Средняя оценка

Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB

Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

Причины выбрать
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.8 15.5

Среднее значение в тестах

Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB

Причины выбрать
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 33

Около -10% меньшая задержка
Выше скорость записи

13.4 11.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 21300

Около 1.2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

33 30
Скорость чтения, Гб/сек

15.8 15.5
Скорость записи, Гб/сек

11.9 13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

21300 25600

Other

Описание

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2824 3132

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston KP223C-ELD 2GB

Kingston KP223C-ELD 2GB

Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB

Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Kingston 9905599-026.A00G 8GB

Kingston 9905599-026.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB

Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB

модули RAM

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB

V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB

модули RAM

Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB

Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

модули RAM

Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB

Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB

Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB

Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB

Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Kingston KTD3KX-HYA 8GB

Kingston KTD3KX-HYA 8GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Kingston 9905744-011.A00G 32GB

Kingston 9905744-011.A00G 32GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

модули RAM