RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Porównaj
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Wynik ogólny
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
54
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
1,781.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,269.3
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,781.8
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
618
2356
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Kingston ACR128X64D2S800C6 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link