RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
63
Wokół strony -125% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
4065
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link