RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
63
Wokół strony -186% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
3115
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link