RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
96
Wokół strony -243% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
1989
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link