RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
63
Wokół strony -66% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
3246
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston ACR256X64D3S13C9G 2GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link