RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
63
Wokół strony -66% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
3246
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link