RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
63
Wokół strony -163% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.3
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2256
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 996902 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link