RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
12.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
63
Около -163% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.3
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
12.7
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2256
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link