RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
63
Wokół strony -142% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2880
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link