RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
63
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
44
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
10.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2374
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link