RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
63
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
51
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2687
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link