RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
63
Wokół strony -186% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2633
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link