RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
63
Por volta de -186% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
22
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
8.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
2633
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link