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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Comparar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Pontuação geral
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,109.3
15.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
60
Por volta de -161% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
23
Velocidade de leitura, GB/s
4,162.7
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,109.3
15.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
784
3317
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB Comparações de RAM
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Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Comparações de RAM
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
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