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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Note globale
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,109.3
15.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
60
Autour de -161% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
23
Vitesse de lecture, GB/s
4,162.7
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,109.3
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
784
3317
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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