Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB против Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 18.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,109.3 left arrow 15.0
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    23 left arrow 60
    Около -161% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 6400
    Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    60 left arrow 23
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,162.7 left arrow 18.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,109.3 left arrow 15.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    784 left arrow 3317
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения