RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
63
Wokół strony -80% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2767
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link