RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
63
Wokół strony -80% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2848
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link