RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
63
Wokół strony -186% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2989
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingston DDR3 1333G 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link