RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
63
En -186% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
22
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2989
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link