RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
63
Wokół strony -85% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2803
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link