RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
77
Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3925
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link