RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
63
Wokół strony -163% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2854
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link