RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Porównaj
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
31
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
25
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1990
3890
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Porównanie pamięci RAM
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link