RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Porównaj
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Wynik ogólny
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
68
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
1,944.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,973.0
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,944.9
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
673
3215
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link