RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
77
Wokół strony -221% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2326
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9HTF3272Y-40EB2 256MB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link