RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Porównaj
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Wynik ogólny
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wynik ogólny
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
68
Wokół strony -127% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.2
1,944.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,973.0
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,944.9
7.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
673
2154
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link