Porównanie pamięci RAM Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Wynik ogólny

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

28 37

Wokół strony 24% niższe opóźnienia

Powody do rozważenia
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

21.4 12.7

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

14.3 7.5

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 8500

Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1066 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1988 3448

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns