RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
37
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3448
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link