RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
37
Rund um 24% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.4
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
21.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
14.3
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
3448
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
INTENSO 5641160 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link