RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Porównaj
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Wynik ogólny
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
68
Wokół strony -127% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,944.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,973.0
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,944.9
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
673
2494
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link